led燈珠正裝與倒裝
發(fā)布時(shí)間：
2023-03-08 09:05
led燈珠有分正裝與倒裝。那么2者又有什么區(qū)別。正裝結(jié)構(gòu)，上面通常涂敷一層環(huán)氧樹脂，下面采用藍(lán)寶石為襯底，電極在上方，從上至下材料為：P-GaN、發(fā)光層、N-GaN、襯底。
倒裝芯片（filp chip）技術(shù)，是在芯片的P極和N極下方用金線焊線機(jī)制作兩個(gè)金絲球焊點(diǎn)，作為電極的引出機(jī)構(gòu)，用金線來(lái)連接芯片外側(cè)和Si底板。LED芯片通過(guò)凸點(diǎn)倒裝連接到硅基上。這樣大功率LED產(chǎn)生的熱量不必經(jīng)由芯片的藍(lán)寶石襯底，而是直接傳到熱導(dǎo)率更高的硅或陶瓷襯底，再傳到金屬底座。
led燈珠正裝與倒裝區(qū)別(1).固晶：正裝小芯片采取在直插式支架反射杯內(nèi)點(diǎn)上絕緣導(dǎo)熱膠來(lái)固定芯片，而倒裝芯片多采用導(dǎo)熱系數(shù)更高的銀膠或共晶的工藝與支架基座相連，且本身支架基座通常為導(dǎo)熱系數(shù)較高的銅材；
(2).焊線：正裝小芯片通常封裝后驅(qū)動(dòng)電流較小且發(fā)熱量也相對(duì)較小，因此采用正負(fù)電極各自焊接一根φ0.8～φ0.9mil金線與支架正負(fù)極相連即可；而倒裝功率芯片驅(qū)動(dòng)電流一般在350mA以上，芯片尺寸較大，因此為了保證電流注入芯片過(guò)程中的均勻性及穩(wěn)定性，通常在芯片正負(fù)級(jí)與支架正負(fù)極間各自焊接兩根φ1.0～φ1.25mil的金線；
(3).熒光粉選擇：正裝小芯片一般驅(qū)動(dòng)電流在20mA左右，而倒裝功率芯片一般在350mA左右，因此二者在使用過(guò)程中各自的發(fā)熱量相差甚大，而現(xiàn)在市場(chǎng)通用的熒光粉主要為YAG， YAG自身耐高溫為127℃左右，而芯片點(diǎn)亮后，結(jié)溫(Tj)會(huì)遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于此溫度，因此在散熱處理不好的情況下，熒光粉長(zhǎng)時(shí)間老化衰減嚴(yán)重，因此在倒裝芯片封裝過(guò)程中建議使用耐高溫性能更好的硅酸鹽熒光粉；
(4).膠體的選擇：正裝小芯片發(fā)熱量較小，因此傳統(tǒng)的環(huán)氧樹脂就可以滿足封裝的需要；而倒裝功率芯片發(fā)熱量較大，需要采用硅膠來(lái)進(jìn)行封裝；硅膠的選擇過(guò)程中為了匹配藍(lán)寶石襯底的折射率，建議選擇折射率較高的硅膠(>1.51)，防止折射率較低導(dǎo)致全反射臨界角增大而使大部分的光在封裝膠體內(nèi)部被全反射而損失掉；同時(shí)，硅膠彈性較大，與環(huán)氧樹脂相比熱應(yīng)力比環(huán)氧樹脂小很多，在使用過(guò)程中可以對(duì)芯片及金線起到良好的保護(hù)作用，有利于提高整個(gè)產(chǎn)品的可靠性；
(5).點(diǎn)膠：正裝小芯片的封裝通常采用傳統(tǒng)的點(diǎn)滿整個(gè)反射杯覆蓋芯片的方式來(lái)封裝，而倒裝功率芯片封裝過(guò)程中，由于多采用平頭支架，因此為了保證整個(gè)熒光粉涂敷的均勻性提高出光率而建議采用保型封裝(Conformal-Coating)的工藝；(6).灌膠成型：正裝芯片通常采用在模粒中先灌滿環(huán)氧樹脂然后將支架插入高溫固化的方式；而倒裝功率芯片則需要采用從透鏡其中一個(gè)進(jìn)氣孔中慢慢灌入硅膠的方式來(lái)填充，填充的過(guò)程中應(yīng)提高操作避免烘烤后出現(xiàn)氣泡和裂紋、分層等現(xiàn)象影響成品率；
(7).散熱設(shè)計(jì)：正裝小芯片通常無(wú)額外的散熱設(shè)計(jì)；而倒裝功率芯片通常需要在支架下加散熱基板，特殊情況下在散熱基板后添加風(fēng)扇等方式來(lái)散熱；在焊接支架到鋁基板的過(guò)程中 建議使用功率<30W的恒溫電烙鐵溫度低于230℃，停留時(shí)間<3S來(lái)焊接；
以上是led燈珠正裝和倒裝之間得區(qū)別，更多l(xiāng)ed燈珠知識(shí)請(qǐng)咨詢led燈珠廠家海隆興光電http:///
正裝,led倒裝
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